项目介绍：本批8件发明专利主要应用于薄膜晶体管（TFT）器件的生产及相关应用，可广泛用于电子价格标签、电子书、电子报纸、电子白板等产品。



专利介绍：


1.201310365478.X一种氧化物薄膜的溅射方法
一种氧化物薄膜的制备方法，是将臭氧直接通入物理气相沉积设备的反应腔内作为溅射气体进行氧化物薄膜沉积。物理气相沉积设备为脉冲直流溅射设备，臭氧是通过臭氧发生器以电晕放电法制备而成。本发明的方法能够制备工艺窗口大、耐压特性好的氧化物介质薄膜。
2.201310315245.9一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件及其制备方法
一种金属氧化物薄膜晶体管存储器件及其制备方法，器件设置有电荷存储层，金属氧化物薄膜晶体管的有源层位于电荷存储层和金属氧化物薄膜晶体管的绝缘层之间，其制备方法是在常规金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺中增加电荷存储层制备工序。电荷存储层为三氧化钼薄膜层、三氧化钨薄膜层、氧化镍薄膜层、C60薄膜层或PCBM薄膜层等。电荷存储层通过旋涂法、真空热蒸发法、磁控溅射法、原子层沉积法或者丝网印刷法中的任意一种方式成膜制备而成。本发明的金属氧化物薄膜晶体管存储器件具有电荷保留时间长、重复性高、读写时间短、密度高的特点，其制作工艺简单、成本低，工艺兼容性高。
3.201210326857.3一种复合透明导电薄膜
本发明公开了一种复合透明导电薄膜，其包括相互叠加的两层或两层以上的透明薄膜，相邻的两层透明薄膜之间设有一层插入层；所述的透明薄膜为ITO薄膜、AZO薄膜、IZO薄膜中的一种。本发明采用ITO/插入层/ITO的多层复合结构有效地抑制了ITO薄膜随着厚度的增加而呈结晶态，进而得到可使用弱酸对其刻蚀图案化的复合透明导电薄膜；通过增加ITO/插入层……插入层/ITO这样的多层结构的层数，能够有效的降低透明导电薄膜的方块电阻；作为插入层的氧化物薄膜通常对于可见光部分具有良好的透过率，因此，使用该结构并不会影响透明导电薄膜的透过率特性。
4.201110295036.3硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及其应用
本发明公开了一种硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及应用。硼化镧掺杂的氧化物半导体材料是在通过氧化锌基材料中掺入硼化镧实现。应用硼化镧掺杂的氧化物半导体材料制备的薄膜晶体管包括基板、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；栅极位于基板上部，绝缘层覆盖在栅极上端，沟道层设置在绝缘层上端，源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔；沟道层材料为硼化镧掺杂的氧化物半导体材料。该薄膜晶体管具有载流子迁移率高、关态电流低及开关比高等优点
5.201110252193.6掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用
本发明公开了掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用。掺杂氧化锌半导体材料是在ZnO材料中同时掺入In、Sn以及Ni；其成份为NiaSnbIncZndO，其中，0.01≤a≤0.09、0.01≤b≤0.09、c＝0.3、d＝0.6且a+b+c+d＝1。应用掺杂氧化锌半导体材料制备的薄膜晶体管包括玻璃基板、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；栅极位于玻璃基板中心上部，绝缘层覆盖在栅极上端，沟道层设置在绝缘层中部上端，位于栅极正上方，沟道层左右两端伸出栅极；源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔；沟道层材料为掺杂氧化锌半导体材料。该薄膜晶体管具有载流子迁移率高、稳定性好以及开关比高等优点。
6.200710027207.8聚合物电解质薄膜晶体管
本发明公开了一种聚合物电解质薄膜晶体管，由衬底，源漏电极，半导体有源层，聚合物电解质层和栅极电极依次层叠构成；所述的聚合物电解质层的材料含有芴基化学结构单元，且单元中含极性基团或离子性基团的化学组分。利用上述聚合物电解质材料作为有机薄膜晶体管的绝缘层，能大幅度提高漏极输出电流和降低晶体管工作电压。这种低工作电压和大电流输出的晶体管可用于驱动有机电致发光器件、电子纸和液晶显示器，且成本低容易制备。
7.200710026213.1导电组合物
本发明涉及导电组合物，包括导电粒子、聚合物以及溶剂；其中聚合物以乙烯基或丙烯酸基为主链、侧链结构单元以杂环结构为主；可应用于制作OLED/PLED单色或全色发光器件以及太阳光电池的电极。
8.200610034391.4有机薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法，有机薄膜晶体管由栅极、绝缘层、第一层电极、半导体层、第二层电极依次层叠构成；第一层电极作为漏极时，第二层电极作为源极；第一层电极作为源极时，则第二层电极作为漏极；漏极和源极分别位于有机半导体层的两侧，并在有机半导体层两侧上下错开。这种结构的晶体管能诱导载流子离开绝缘层-半导体层界面附近的耗尽区，直接通过半导体的本体注入漏极，从而有利于载流子的注入，提高迁移率，增大输出电流。本发明所提出的结构还能使导电沟道长度达到与半导体层的厚度相当的程度，远小于传统薄膜晶体管结构所能达到的最小沟道长度，这可以减小薄膜晶体管器件的面积。
                        

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